シリコンサーフェスバリア検出素子

　シリコンサーフェスバリア検出素子は、超高純度シリコンを用いた
半導体検出器で、α線、重イオン等の測定に最適です。
本素子のエネルギー測定範囲は、α線で、空乏層厚さ１００μmのとき
約１３MeV，２００μmのとき２０MeVです。
分解能は２０KeV以下（241Am)のものまで得られております。
形状は、リードタイプとBNCタイプの２種類があり、
使用目的により適したものを選ぶことができます。
空乏層厚さは１００μmおよび２００μm，有効面積は２５～４００m㎡と
各種用意され、高範囲な用途に使用が可能です。

＜仕様＞

測定エネルギ－範囲 α線で　～ 20 MeV
陽子線で　～ 5MeV

有効面積 25 ～ 400 mm²

有効厚さ 100 μm
200 μm

分解能 20 ～ 90 keV
(241Am 5.5MeVα線に対して)

＜特長＞
　・荷電粒子の高分解能測定に最適。
　・標準形状は､リ－ドタイプ（A）とBNCタイプ（B）。
　・透過型全空乏層タイプも可能。
　・極薄検出器（～20μmt）も可能。
　・国産により低価格化実現。
　・使用目的に応じた特殊仕様に対応可能。

型　名分解能
(keV) 有効面積
(mm²) 厚さ
(μm)

20-025-100A 20 25 100

20-025-200A 20 25 200

90-025-200A 90 25 200

20-050-100A 20 50 100

20-050-200A 20 50 200

90-050-200A 90 50 200

30-100-100B 30 100 100

30-100-200B 30 100 200

90-100-100B 90 100 100

90-100-200B 90 100 200

30-200-100B 30 200 100

30-200-200B 30 200 200

90-200-100B 90 200 100

90-200-200B 90 200 200

30-400-100B 30 400 100

30-400-200B 30 400 200

90-400-100B 90 400 100

90-400-200B 90 400 200

	＜仕様＞
	測定エネルギ－範囲	α線で　～ 20 MeV 陽子線で　～ 5MeV
	有効面積	25 ～ 400 mm²
	有効厚さ	100 μm 200 μm
	分解能	20 ～ 90 keV (241Am 5.5MeVα線に対して)
	＜特長＞　・荷電粒子の高分解能測定に最適。　・標準形状は､リ－ドタイプ（A）とBNCタイプ（B）。　・透過型全空乏層タイプも可能。　・極薄検出器（～20μmt）も可能。　・国産により低価格化実現。　・使用目的に応じた特殊仕様に対応可能。

型　名	分解能 (keV)	有効面積 (mm²)	厚さ (μm)
20-025-100A	20	25	100
20-025-200A	20	25	200
90-025-200A	90	25	200
20-050-100A	20	50	100
20-050-200A	20	50	200
90-050-200A	90	50	200
30-100-100B	30	100	100
30-100-200B	30	100	200
90-100-100B	90	100	100
90-100-200B	90	100	200
30-200-100B	30	200	100
30-200-200B	30	200	200
90-200-100B	90	200	100
90-200-200B	90	200	200
30-400-100B	30	400	100
30-400-200B	30	400	200
90-400-100B	90	400	100
90-400-200B	90	400	200